倍加福P+F光电传感器规格

倍加福P+F光电传感器ML100-55/95/103规格

OBE10M-18GM60-SE4

OBE10M-18GM60-SE4-V1

OBE10M-18GM60-SE5

OBE10M-18GM60-SE5-V1

OBE2000-R2-SE0

P+F  MLV11-8-500/47/112

P+F  MLV12-54/76B/124/128

P+F  MLV12-54/76B/95/128

P+F  MLV12-54/76B/95/128

P+F  MLV12-54-G/76B/115/128

注意事项：

反射取样式光电传感器的被检测的工件或物体表面

光中的红外光将影响接收管的正常工作。

光电传感器的红外发射管的电流在2～10ma之间时

必须有黑白相间的部位用于吸收和反射红外光，这

样接收管才能有效的截止和饱和达到计数的目的。

表面必须保持平行，这样光电传感器的转换效率*。

光电传感器的前端面与反光板的距离保持在规定的

发光强度与电流的线性*，所以在电流取值一般

范围内。

光电传感器必须安装在没有强光直接照射处，因强

不超过这个范围，若取值太大发射管的光衰也大长

在选择工作点、安装及使用中*关健的一点是接收

管必须工作于截止区和饱和区。

使用中光电传感器的前端面与被检测的工件或物体

时间工作影响寿命；若取值太小一是抗干扰性下降

，二是对接收管的要求严。

型号：

OBE10M-18GM60-RT-SE5-V1

OBE10M-18GM60-S

P+F  MLV12-54-G/76B/115/128

P+F  MLV12-54-G/76B/124/128

P+F  MLV12-54-G/76B/124/128

P+F  MLV12-54-G/76B/124/128

P+F  MLV41-54-G/25/123/124/136

P+F  MLV41-54-G/25/123/124/136

OBG5000-R100-2EP-IO

GL5-Y/43A/115

GLD3-RT/95/147

GLP30-RT/40b/102/156

GLP30-RT/40b/103/156

GLV12-54/37/40B/115

GLV12-8-200/37/40b/92

GLV18-55/25/103/159

GLV18-55/59/102/115

GLV18-6/25/103/159

P+F  ML100-8-1000-RT/103/115

P+F  ML100-8-1000-RT/103/115

P+F  ML100-8-1000-RT/103/115

P+F  ML100-8-1000-RT/103/115B

P+F  ML100-8-1000-RT/95/102

P+F  ML100-8-1000-RT/95/103

P+F  ML100-8-1000-RT/95/103

P+F  ML100-8-H-100/95/120/162

P+F  ML100-8-H-350-RT/102/115

P+F  ML100-8-H-350-RT/102/115

P+F  ML100-8-H-350-RT/102/115

P+F  ML100-8-H-350-RT/102/115

P+F  ML100-8-H-350-RT/102/115

P+F  ML100-8-H-350-RT/103/115

P+F  ML100-8-H-350-RT/103/115

GLV18-6/73/120

GLV18-8-H-120/25/102/115

GLV30-8-H-2407

GV12/37/40b/92

HPF-D002-H

IA 15-30GM-I3

IA15-30GM-I3

IC-KP2-1HB17-2V1D

IC-KP2-1HB6-V15B

IC-KP2-2HB17-2V1D

OBS4000-18GM60-E4

P+F  NBB10-30GM50-E2-C-V1

P+F  NBB10-30GM50-E2-V1

P+F  NBB10-30GM50-E2-V1

P+F  NBB15-30GM30-E2-V1

OBS4000-18GM60-E5

OBT200-18GM60-E4

OBT200-18GM60-E4-V1

OBT200-18GM60-E5-V1

OBT300-R100-2EP-IO-L

倍加福P+F光电传感器ML100-55/95/103规格